发明名称 |
一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种易轴取向的 FePt 、 CoPt 系垂直磁记录薄膜的制备方法,属于材料制备技术领域。该方法包括:1)制备晶粒为面心立方结构的 FePt (M)或CoPt (M)薄膜,其中M为元素周期表中的 C 、 P 、 B 非金属元素之一或者熔点低于 Fe 元素熔点的 Ag 、 Cu 、 Sn 、 Pb 、 Bi 、 Ga 和 In 金属元素之一;2)将 FePt (M)或 CoPt (M)薄膜置于磁场中,磁场的方向垂直于薄膜表面,然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。应用本发明能使薄膜中的铁磁性晶粒的易磁化轴垂直于膜面排列。本发明具有工艺简单、过程容易控制的优点,并且可以使用熔点相对较低的玻璃作为薄膜的基底材料,既可节约成本,还可以保证使用 FePt 、CoPt 系垂直磁记录薄膜过程中所要求的膜面光洁度。 |
申请公布号 |
CN100378807C |
申请公布日期 |
2008.04.02 |
申请号 |
CN200610078661.1 |
申请日期 |
2006.04.30 |
申请人 |
首都师范大学 |
发明人 |
贺淑莉;刘丽丽;彭印;王一红 |
分类号 |
G11B5/84(2006.01);G11B5/852(2006.01);H01F10/14(2006.01);H01F10/16(2006.01);H01F41/22(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/84(2006.01) |
代理机构 |
北京诺孚尔知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
庞涛 |
主权项 |
1.一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)制备晶粒为面心立方结构的FePt(M)或CoPt(M)薄膜,其中M为元素周期表中的C、P、B非金属元素之一或者熔点低于Fe元素熔点的Ag、Cu、Sn、Pb、Bi、Ga和In金属元素之一;2)将FePt(M)或CoPt(M)薄膜置于磁场中,磁场的方向垂直于薄膜表面,然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。 |
地址 |
100037北京市海淀区西三环北路105号 |