发明名称 半导体器件,卡,系统以及初始化和检验半导体器件的真实性和身份的方法
摘要 本发明的半导体器件包括一种由钝化结构(50)覆盖的电路。半导体器件设置有包括钝化结构(50)的局部区域的第一和第二安全元件(12A,12B),并设置有第一和第二电极。安全元件(12A,12B)分别具有阻抗彼此不同的第一和第二阻抗。因为钝化结构具有在该电路之上横向变化的有效介电常数,由此实现本发明的半导体器件。通过测量装置测量阻抗的实际值并通过传送装置将阻抗的实际值转送到存取器件。存取器件包括或有权访问存储阻抗的数据库器件。而且,存取器件还可以用存储的阻抗值与实际值比较,以检验半导体器件的真实性或身份。
申请公布号 CN100378991C 申请公布日期 2008.04.02
申请号 CN02823598.3 申请日期 2002.11.28
申请人 NXP股份有限公司 发明人 P·E·德乔赫;E·罗克斯;R·A·M·沃特斯;H·L·皮克
分类号 H01L23/58(2006.01);G06K19/073(2006.01) 主分类号 H01L23/58(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 王波波
主权项 1.一种半导体器件(11),设置有包括有源元件(33,43)的电路,该电路设置在衬底(31)的一面(32)处并由钝化结构(50)覆盖,该半导体器件(11)还设置分别具有第一和第二阻抗的第一和第二安全元件(12A,12B),其中还存在用于测量在第一频率下的第一和第二阻抗的实际值的测量装置(4),和用于将实际值转送到外部存取器件(2)的传送装置(6),该存取器件(2)包括或有权访问中央数据库器件,其特征在于:第一和第二安全元件(12A,12B)包括钝化结构(50)的一个局部区域和第一和第二电极(14,15),钝化结构(50)具有在电路之上横向变化的有效介电常数,以致第一阻抗不同于第二阻抗;钝化结构(50)设置在金属层(28)的顶部,第一安全元件(12A)的第一和第二电极(14,15)存在于金属层(28)中。
地址 荷兰艾恩德霍芬