| 主权项 |
1.一种III-V族化合物结晶之制造方法,其特征为具 有:在基板上堆积金属膜之步骤、在使前述金属膜 形成图案之化合物之气氛存在下进行热处理之步 骤、以及在前述热处理后之金属膜上使III-V族化 合物结晶成长之步骤;前述热处理系将前述金属膜 之一部份去除而形成图案,并于前述图案之底部露 出基板者。 2.一种III-V族化合物结晶之制造方法,其特征在于 具有:在基板上堆积金属膜之步骤、在使前述金属 膜形成图案之化合物之气氛存在下进行热处理之 步骤、在前述热处理后之金属膜上使III-V族化合 物缓冲膜成长之步骤、以及在前述之III-V族化合 物缓冲膜上使III-V族化合物结晶成长之步骤;前述 热处理系将前述金属膜之一部份去除而形成图案, 并于前述图案之底部露出基板者。 3.如申请专利范围第1或2项之III-V族化合物结晶之 制造方法,其中藉由在使前述金属膜形成图案之化 合物之气氛存在下进行热处理,而在金属膜上形成 之洞或沟之平均宽度为2 nm-5000 nm,该洞或沟之区域 面积相对于基板总面积之百分比之开口率为5%-80% 。 4.如申请专利范围第1或2项之III-V族化合物结晶之 制造方法,其中基板为矽、蓝宝石、SiC、ZrB2或III-V 族化合物。 5.如申请专利范围第1或2项之III-V族化合物结晶之 制造方法,其中金属膜含有钛或钒。 6.如申请专利范围第1或2项之III-V族化合物结晶之 制造方法,其中金属膜之厚度为10 nm-1000 nm。 7.如申请专利范围第1或2项之III-V族化合物结晶之 制造方法,其特征为热处理系在800℃-1200℃下进行0 .5分钟-20分钟。 8.如申请专利范围第1或2项之III-V族化合物结晶之 制造方法,其中III-V族化合物结晶系GaxAlyIn1-x-yN(0≦ x≦1,0≦y≦1)。 图式简单说明: 图1A-C为对根据本发明之III-V族化合物之一种制造 方法进行说明之图示。 图2A-D为对根据本发明之III-V族化合物之另一种制 造方法进行说明之图示。 图3A表示在金属膜上形成之洞或沟之一代表例之 结构示意图,图3B表示在金属膜上形成之洞或沟之 另一代表例之结构示意图。 |
