发明名称 程式化快闪记忆胞之方法
摘要 一种程式化快闪记忆胞的方法,包括判断快闪记忆胞中,所要被程式化之其中一位元以外之另一位元的阈值电压。另外,在另一位元之阈值电压为未程式化阈值电压时,将快闪记忆体内要被程式化之其中一位元,程式化至具第一高阈值电压之被程式化状态;且在另一位元之阈值电压为已程式化之阈值电压时,将要被程式化之其中一位元,程式化至具第二高阈值电压的被程式化状态;且其中第一高阀值电压比第二高阈值电压还低。
申请公布号 TWI295466 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW092114883 申请日期 2003.06.02
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 黄俊仁;周铭宏;邱骏仁
分类号 G11C11/34(2006.01) 主分类号 G11C11/34(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种程式化一具二位元之快闪记忆胞之方法,包 括: 判断该快闪记忆胞中一要被程式化之其中一位元 以外之一另一位元的阈値电压;以及 在该另一位元之阈値电压为一未程式化阈値电压 时,将该快闪记忆体内该要被程式化之其中一位元 ,程式化至一第一高阈値电压之被程式化状态;且 在该另一位元之阈値电压为一己程式化之阈値电 压时,该要被程式化之其中一位元,将被程式化至 一第二高阈値电压的被程式化状态;且其中该第一 高阀値电压比该第二高阈値电压还低。 2.如申请专利范围第1项所述之程式化快闪记忆胞 之方法,其中在该快闪记忆胞之一二位元都处于已 程式化高阈値电压値时,该二位元之各别高阈値电 压约略相等。 3.如申请专利范围第1项所述之程式化快闪记忆胞 之方法,其中该高阈値电压状态代表数位0。 4.如申请专利范围第1项所述之程式化快闪记忆胞 之方法,其中该低阈値电压状态代表数位1。 5.如申请专利范围第1项所述之程式化快闪记忆胞 之方法,其中该第一高阈値电压与该第二高阀値电 压之差在0.2伏特与0.3伏特之间。 6.一种电脑可读取媒体,储存用以程式化一快闪记 忆胞之一指令组,该指令组执行时实施下列阶段, 包括: 判断该快闪记忆胞中一要被程式化之其中一位元 以外之一另一位元的阈値电压;以及 在该另一位元之阈値电压为一未程式化阈値电压 时,将该快闪记忆体内该要被程式化之其中一位元 ,程式化至一第一高阈値电压之被程式化状态;且 在该另一位元之阈値电压为一已程式化之阈値电 压时,该要被程式化之其中一位元,将被程式化至 一第二高阈値电压的被程式化状态;且其中该第一 高阀値电压比该第二高阈値电压还低。 7.如申请专利范围第6项所述之电脑可读取媒体,其 中在该快闪记忆胞之一二位元都处于已程式化高 阈値电压値时,该二位元之各别高阈値电压约略相 等。 8.如申请专利范围第6项所述之电脑可读取媒体,其 中该高阈値电压状态代表数位0。 9.如申请专利范围第6项所述之电脑可读取媒体,其 中该低阈値电压状态代表数位1。 10.如申请专利范围第6项所述之电脑可读取媒体, 其中该第一高阈値电压与该第二高阀値电压之差 在0.2伏特与0.3伏特之间。 图式简单说明: 图1A绘示在快闪记忆胞中,储存一位元之每一胞的 方块图; 图1B绘示与本发明之一具体实施例之在快闪记忆 胞中储存二位元之每一胞一致的流程图; 图2绘示与本发明之一具体实施例之程式化快闪记 忆胞的方法一致的流程图; 图3绘示在图2中与本发明之一具体实施例之接收 对应于储存在快闪记忆体内的多个第一位元与多 个第二位元的阈値电压之子常式一致的流程图; 图4绘示在图2中与本发明之一具体实施例之程式 化第一位元与第二位元其中之一的子常式一致的 流程图; 图5绘示习知技术在程式化时的影响;以及 图6A与图6B绘示习知技术在程式化时影响的可能性 分布。
地址 新竹市新竹科学园区力行路16号