一种提高P型氮化物发光二极体亮度的方法

摘要

本发明首先提供一P型氮化半导体层；选择性(Selective)分别蒸镀不同厚度与覆盖范围的钛金属于P型氮化镓半导体基底；接着再放入炉管，在氮气环境中，以相当高温进行活化(Activation)程序，控制于一定时间下；在活化程序完成后，将钛金属移除，可以选择性改变载子浓度，以达到提高P型氮化物发光二极体亮度的目的。