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发明名称
成膜装置及成膜方法
摘要
本发明之成膜装置及成膜方法之特征在于包含:真空室;成膜对象物之保持部,其系可旋转地设在前述真空室内;及溅射源,其系可保持复数标靶,且以可改变对前述成膜对象物之前述标靶之对向面积方式被设置成可自转者。可藉简单之构成,配合成膜对象物之尺寸施行均匀而效率良好之成膜,且污染之可能性少,维护性也佳。
申请公布号
TW200815617
申请公布日期
2008.04.01
申请号
TW096121088
申请日期
2007.06.12
申请人
芝浦机械电子装置股份有限公司
发明人
川又由雄
分类号
C23C14/34(2006.01)
主分类号
C23C14/34(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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