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发明名称
位于半导体或半导体装置上的薄膜式电池及其制造方法
摘要
本发明有关一种在半导体表面或半导体装置之导电或绝缘表面上之弹性薄膜电池,以及制作上述电池之方法。电化学装置可胶黏在此半导体表面或半导体装置之导电或绝缘封装表面,或直接沉积于其上。本发明亦有关在弹性印刷电路板上之弹性薄膜电池,其中电化学装置亦可以胶黏或沉积在弹性印刷电路板上。
申请公布号
TW200816546
申请公布日期
2008.04.01
申请号
TW096116929
申请日期
2007.05.11
申请人
英菲尼特电源设备股份有限公司
发明人
强森雷门R JOHNSON, RAYMOND R.;史耐德沙恩W SNYDER, SHAWN W.;布瑞纳保罗C BRANTNER, PAUL C.;布拉多堤米J BRADOW, TIMOTHY J.;纽德克伯恩德J NEUDECKER, BERND J.
分类号
H01M2/26(2006.01);H01L29/00(2006.01)
主分类号
H01M2/26(2006.01)
代理机构
代理人
蔡坤财;李世章
主权项
地址
美国
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