| 摘要 |
本发明是有关于一种 SOI 晶圆的评价方法，是评价 SOI 晶圆(至少在绝缘层上具有 SOI 层，且在前述 SOI 层与前述绝缘层的界面区域，具有其不纯物浓度比前述 SOI层的其他部分高之埋入扩散层)的前述埋入扩散层的薄片电阻之方法，具备：测定步骤，此测定步骤是测定前述 SOI 层整体或是前述 SOI 晶圆整体的薄片电阻；及估计步骤，此估计步骤是藉由将前述薄片电阻测定的测定结果当作是构成前述 SOI 晶圆的各层各自并列连接而成的电阻，并进行换算来估计前述埋入扩散层的薄片电阻。藉此，能够提供一种 SOI晶圆的评价方法，不必制造监控晶圆而能够直接测定成为制品之 SOI晶圆来评价埋入扩散层的薄片电阻。 |
