在半导体元件中制造电容的方法

摘要

本发明揭露一种用于在半导体元件中形成电容的方法。该方法包含：在半导体基板上形成储存节点电极；在该储存节点电极上方形成具有高介电常数的介电层；在该介电层上方沉积板状电极，藉以形成副生成物杂质；以及当在该板状电极上方沉积顶盖层时，藉由将含氢(H)原子气体导至该半导体基板上方，以除去残留在该板状电极上方的该副生成物杂质。