| 摘要 |
本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置，包括：形成在半导体基板（101）中的元件隔离区域（102），由元件隔离区域（102）包围的工作区（103a）、（103b），以及形成在元件隔离区域（102）及工作区（103a）、（103b）上，并在元件隔离区域（102）上具有与工作区（103a）、（103b）上相比闸极长度方向上的图案宽度较大的第一区域的第一闸极电极（105）。第一闸极电极（105）中的第一区域，具有膜厚与工作区（103a）、（103b）上的膜厚不同的部分。因此，能够提供包括能够抑制圆角现象的闸极电极结构的半导体装置。 |
