发明名称 |
作为闸极介电质之经Zr取代BaTiO膜之原子层沈积(ALD) ALD OF ZR-SUBSTITUTED BATIO |
摘要 |
本发明揭示使用原子层沈积(ALD)形成钛钡氧化物(BaTiO3)之一经锆取代层来制作一可靠结构,该结构可用于各种各样的电子装置,例如非挥发性随机存取记忆体(NVRAM)中之介电质、用于多层陶瓷电容器(MLCC)、红外线感测器及光电调变器之可调整介电质。该结构系藉由下述方式形成:使用前驱化学物质在一基板表面上藉由ALD沈积钛酸钡与锆酸钡之交替层,并重复以形成一具有所期望厚度及组成之依序沈积的交错结构。此种层可作为一MOSFET之闸极绝缘体,或用作一电容器介电质。可藉由调整锆对钛之百分比来调整该介电质之性质,以使诸如介电常数、居里点(Curie point)、膜极化、铁电性质及所期望张弛振荡器响应等性质最佳化。 |
申请公布号 |
TW200816314 |
申请公布日期 |
2008.04.01 |
申请号 |
TW096128673 |
申请日期 |
2007.08.03 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
安奇尹;李欧纳德 佛必斯 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01);H01L21/3105(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |