| 摘要 |
本发明提供一种矽系薄膜及矽系薄膜之形成方法，可改善矽系薄膜对基板上之密合性，难以产生龟裂或剥离，不会对形成于基板上之电子元件造成损害，且不会使装置构成大型化。本发明之矽系薄膜之形成方法系于基板K上，藉由CVD法形成具有绝缘功能或障壁功能之矽系薄膜者，其包括以下步骤：使用包含氢元素之气体及包含矽元素之气体，于上述基板K上藉由电浆CVD法形成第1薄膜11之步骤；使用包含氮元素之气体及包含矽元素之气体，藉由电浆CVD法形成第2薄膜12之步骤；以及使用包含氧元素之气体及包含矽元素之气体，藉由电浆CVD法形成第3薄膜13之步骤。 |
