原料之气化供给装置及其使用之自动压力调整装置

摘要

〔发明课题〕实现 MOCVD 法半导体制造所使用的原料气化供给装置构造的简化和小型化的同时，藉由高精度控制原料供给至处理室的供给量，以实现半导体品质的稳定化和提升品质。〔解决手段〕原料之气化供给装置，其特征为，其是由：已储放有原料的原料槽；可从运载气体供给源对一定流量的运载气体加以流量控制并供给至上述原料槽的原料中的流量控制装置；滞留在原料槽上部空间的原料蒸气 G4 和运载气体G1之混合气体 G0 导出用的 1 次配管路；根据上述 1 次配管路的混合气体 G0 之压力及温度的检测值对设置在 1 次配管路末端的控制阀开度进行调整，藉由对混合气体G0 流通的通道剖面积进行调整使原料槽内的混合气体G0 压力保持成一定值的自动压力调整装置；及可使上述原料槽及自动压力调整装置的运算控制部除外部份加热成设定温度的恒温加热部所构成，构成可将原料槽内的内压控制成预期压力的同时将混合气体 G0 供给至处理室。