处理单一基材的系统和方法

摘要

在一用来处理半导体基材之方法中，一单一基材放置于一单一基材处理腔体内并接受湿蚀刻、清洁及/或乾燥步骤。单一基材可在该单一基材处理腔体中曝露至一蚀刻或清洁化学药品，同时在蚀刻或清洁化学药品中产生扰动，以薄化附着于基材上的流体边界层。腔体表面的百万赫次超音波能量及/或扰动可提供用于薄化边界层的扰动。根据本发明方法的另一实施态样，百万赫次超音波能量可直接导入该单一基材处理腔体内部的一区域中，以产生一跨越基材表面的边界层薄化区，且单一基材在腔体内进行冲洗或清洁制程期间可传送通过该区以使该区内的清洁/冲洗效能最佳化。