发明名称 具有5F2单元之电气可抹除之可程式化唯读记忆体阵列
摘要 本发明揭示一种非挥发性记忆体阵列,其特征在于具有分离闸极电晶体之单元与一5F2之总面积范围,即最小微影特征尺寸平方的五倍。尽管已知更小的单元,但本发明之单元中的每一单元具有一选择装置与一浮动闸极电晶体,并且相邻单元具有共用的源极-汲极线,所有单元皆受控于仅四个线,该四个线包括两个位元线、一字线及一选择闸极线。该等线延伸超过该阵列之边界,在该边界处形成电接点以用于随机存取读取、程式化及抹除,即一无接触阵列。
申请公布号 TW200816458 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096127546 申请日期 2007.07.27
申请人 爱特梅尔公司 发明人 波休米尔 洛杰克
分类号 H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) 主分类号 H01L27/115(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国