半导体装制中凹入闸极之制造方法

摘要

一种半导体装置中凹入闸极之制造方法，该方法包括：在一基板上，形成一装置隔离结构，以界定一主动区；在该基板上形成一硬遮罩图案，以选择性地露出该主动区的至少一部分；系透过一蚀刻制程，在该主动区形成一凹入图案，且使用该硬遮罩图案作为一蚀刻障蔽；除去该硬遮罩图案；在该基板上形成一闸极绝缘层；以及在该闸极绝缘层上形成一闸极电极，以至少覆盖该凹入图案。