发明名称 碳系奈米材料、其制造方法、电子零件及电子装置
摘要 本发明之由碳系奈米管系材料及石墨片系材料之至少一者所组成的碳系奈米材料,系藉由下述之制造方法而加以制造,即:对碳系奈米材料照射真空紫外线,及提供可藉由与该真空紫外线之组合,将碳系奈米材料的表面改质之物质。藉此,本发明可获致与其他材料接合时,亲和性提高之新颖的碳系奈米材料。
申请公布号 TW200815282 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096130125 申请日期 2007.08.15
申请人 富士通股份有限公司 发明人 浅野高治
分类号 C01B31/02(2006.01);C23C16/26(2006.01) 主分类号 C01B31/02(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本