发明名称 奈米碳管成长用基板、奈米碳管成长方法、奈米碳管成长用触媒之粒径控制方法、及奈米碳管管径之控制方法
摘要 提供奈米碳管成长用基板、 CNT 成长方法、 CNT 用触媒之粒径控制方法、及 CNT 径之控制方法。系具有利用电弧电浆枪实施微粒子化之触媒层之基板。于该触媒层上,利用热 CVD 法或远端电浆 CVD 法,实施 CNT 之成长。利用电弧电浆枪之射注数来控制触媒之粒径。于该触媒粒径受到控制之触媒层上,利用热 CVD 法或远端电浆 CVD 法,实施奈米碳管之成长,控制其内径或外径。
申请公布号 TW200815281 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096118982 申请日期 2007.05.28
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 中野美尚;山崎贵久;村上裕彦
分类号 C01B31/02(2006.01);B01J23/755(2006.01);B01J23/74(2006.01);B01J33/00(2006.01);C23C14/24(2006.01) 主分类号 C01B31/02(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
您可能感兴趣的专利