发明名称 |
奈米碳管成长用基板、奈米碳管成长方法、奈米碳管成长用触媒之粒径控制方法、及奈米碳管管径之控制方法 |
摘要 |
提供奈米碳管成长用基板、 CNT 成长方法、 CNT 用触媒之粒径控制方法、及 CNT 径之控制方法。系具有利用电弧电浆枪实施微粒子化之触媒层之基板。于该触媒层上,利用热 CVD 法或远端电浆 CVD 法,实施 CNT 之成长。利用电弧电浆枪之射注数来控制触媒之粒径。于该触媒粒径受到控制之触媒层上,利用热 CVD 法或远端电浆 CVD 法,实施奈米碳管之成长,控制其内径或外径。 |
申请公布号 |
TW200815281 |
申请公布日期 |
2008.04.01 |
申请号 |
TW096118982 |
申请日期 |
2007.05.28 |
申请人 |
爱发科股份有限公司 |
发明人 |
中野美尚;山崎贵久;村上裕彦 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01);B01J23/755(2006.01);B01J23/74(2006.01);B01J33/00(2006.01);C23C14/24(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |