| 发明名称 | 半导体装置制造方法与半导体装置 | ||
| 摘要 | 本案提供一种半导体装置制造方法，包含：一场氧化物绝缘膜形成步骤，其包含形成一埸氧化物绝缘膜(12)，使得当半导体基材(11)以平面图观看时，在一作用区(13)中对应于作用区(13)的一侧表面部份的部份(13a)有一曲面，向离心力作用方向(F)的前侧凸起，该部份(13a)于沿着半导体基材(11)的表面之离心力作用方向(F)中，相对于半导体基材(11)的旋涂表面上之旋转中心(O)及位在离心力作用方向(F)的前侧。 | ||
| 申请公布号 | TW200816270 | 申请公布日期 | 2008.04.01 |
| 申请号 | TW096118988 | 申请日期 | 2007.05.28 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 塚本明子;长谷川尚;小山内润 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||