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发明名称
半导体记忆装置中之电压监视装置
摘要
本发明提供一种用于监视一在半导体装置中使用之内部电源电压及基于监视结果而产生一数位信号之设备或方法,其包括:一转换装置,其用于将一内部电源电压与一参考电源电压之间的差转换为一数位信号;及一输出装置,其用于回应于一测试模式信号而传输该数位信号。
申请公布号
TW200816209
申请公布日期
2008.04.01
申请号
TW096100498
申请日期
2007.01.05
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
都昌镐
分类号
G11C29/00(2006.01);G01R31/40(2006.01)
主分类号
G11C29/00(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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