发明名称 光阻图案增厚材料、形成光阻图案之方法、半导体元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种可利用 ArF 准分子雷射光之光阻图案增厚材料,此准分子雷射光当应用在欲增厚的光阻图案上时,例如线条及空间图案形成,不论欲增厚之光阻图案的尺寸,可增厚欲增厚之光阻图案,以及此准分子雷射光超越曝光限制,适用于形成精细之空间图案或类似物。本发明亦提供形成光阻图案之方法及制造半导体元件之方法,其中适当地应用本发明的光阻图案增厚材料。
申请公布号 TW200815926 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096127260 申请日期 2007.07.26
申请人 富士通股份有限公司 发明人 野崎耕司;小泽美和
分类号 G03F7/11(2006.01);G03F7/004(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/11(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本