发明名称 |
光阻图案增厚材料、形成光阻图案之方法、半导体元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种可利用 ArF 准分子雷射光之光阻图案增厚材料,此准分子雷射光当应用在欲增厚的光阻图案上时,例如线条及空间图案形成,不论欲增厚之光阻图案的尺寸,可增厚欲增厚之光阻图案,以及此准分子雷射光超越曝光限制,适用于形成精细之空间图案或类似物。本发明亦提供形成光阻图案之方法及制造半导体元件之方法,其中适当地应用本发明的光阻图案增厚材料。 |
申请公布号 |
TW200815926 |
申请公布日期 |
2008.04.01 |
申请号 |
TW096127260 |
申请日期 |
2007.07.26 |
申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
野崎耕司;小泽美和 |
分类号 |
G03F7/11(2006.01);G03F7/004(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/11(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
日本 |