| 主权项 |
1.一种改善低介电常数薄膜性质之方法,包括下列 步骤: 提供一半导体基底,其上设置有一低介电常数介电 层,该低介电常数介电层表现出一拉伸应力;以及 形成一应力调整层于该低介电常数介电层上以构 成一复合膜层,其中该应力调整层表现出异于该第 一应力之压缩应力以调整该复合膜层中之应力。 2.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该低介电常数介电层材质为掺 杂氟之二氧化矽(FSG)、磷矽玻璃(PSG)、FLARE、或多 孔性的芳香族碳氢化合物(P-SiLK)。 3.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该应力调整层之材质为藉由电 浆加强型化学气相沉积法(PECVD)所形成之氮化碳, 具有一分子式为CNx,其中x小于0.5。 4.如申请专利范围第3项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该应力调整层系于200~1500瓦特( Watts)高频射频功率(HFRF power)下所形成。 5.如申请专利范围第3项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该应力调整层系于0.001~20托( Torr.)之反应压力下所形成。 6.如申请专利范围第3项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该应力调整层系于100~500℃之 反应温度下所形成。 7.如申请专利范围第3项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该应力调整层系由烷类气体、 氨气及氮气所形成。 8.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该应力调整层之厚度介于50~800 埃()。 9.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该应力调整层之材质系藉由物 理气相沉积法(PVD)所形成之氮化碳,具有一分子式 为CNx,其中x小于0.5。 10.如申请专利范围第9项所述之改善低介电常数薄 膜性质之方法,其中该物理气相沉积法(PVD)为溅镀 法(sputtering)。 11.如申请专利范围第10项所述之改善低介电常数 薄膜性质之方法,其中该溅镀法系使用石墨或生化 材料(biochemistry material)之靶材(target)。 12.如申请专利范围第11项所述之改善低介电常数 薄膜性质之方法,其中该生化材料(biochemistry material)为azzadenine、adnine或melamine。 13.如申请专利范围第11项所述之改善低介电常数 薄膜性质之方法,其中该应力调整层于0.001~20托( Torr.)之反应压力下所形成。 14.如申请专利范围第11项所述之改善低介电常数 薄膜性质之方法,其中该应力调整层于100~500℃之 反应温度下所形成。 15.如申请专利范围第11项所述之改善低介电常数 薄膜性质之方法,其中于溅镀过程中通入有氨气及 氮气。 16.一种镶嵌制程,包括下列步骤: 提供一半导体基底; 形成一蚀刻停止层于该半导体基底上; 形成一低介电常数介电层于该蚀刻停止层上,且该 低介电常数介电层表现出一拉伸应力; 形成一应力调整层于该低介电常数介电层上以构 成一复合介电层,其中该应力调整层表现出异于该 第一应力之压缩应力以调整该复合介电层中之应 力; 形成一介电层于该应力调整层上; 依序定义该介电层、该应力调整层及该蚀刻停止 层以构成至少一开口于该基底上,并露出各开口内 之基底;以及 形成一导电层于各开口内。 17.如申请专利范围第16项所述之镶嵌制程,其中于 该半导体基底与该蚀刻停止层间形成有设置于一 绝缘层中之一导线,其位置大体对准于该开口。 18.如申请专利范围第17项所述之镶嵌制程,其中该 导线材质为钨。 19.如申请专利范围第16项所述之镶嵌制程,其中该 低介电常数介电层材质为掺杂氟之二氧化矽(FSG) 、磷矽玻璃(PSG)、FLARE、或多孔性的芳香族碳氢化 合物(P-SiLK)。 20.如申请专利范围第16项所述之镶嵌制程,其中该 应力调整层之材质为藉由电浆加强型化学气相沉 积法(PECVD)所形成之氮化碳,具有一分子式为CNx,其 中x小于0.5。 21.如申请专利范围第20项所述之镶嵌制程,其中该 应力调整层系于200~1500瓦特(Watts)高频射频功率( HFRF power)下所形成。 22.如申请专利范围第20项所述之镶嵌制程,其中该 应力调整层系于0.001 ~20托(Torr.)之反应压力下所形 成。 23.如申请专利范围第20项所述之镶嵌制程,其中形 成该应力调整层系于100~500℃之反应温度下所形成 。 24.如申请专利范围第20项所述之镶嵌制程,其中该 应力调整层系为烷类气体、氨气及氮气所形成。 25.如申请专利范围第20项所述之镶嵌制程,其中该 应力调整层之厚度介于50~800埃()。 26.如申请专利范围第16项所述之镶嵌制程,其中该 应力调整层之材质系藉由物理气相沉积法(PVD)所 形成之氮化碳,具有一分子式为CNx,其中x小于0.5。 27.如申请专利范围第21项所述之镶嵌制程,其中该 物理气相沉积法(PVD)为溅镀法(sputtering)。 28.如申请专利范围第22项所述之镶嵌制程,其中该 溅镀法系使用石墨或生化材料(biochemistry material) 之靶材(target)。 29.如申请专利范围第23项所述之镶嵌制程,其中该 生化材料(biochemistry material)为azzadenine、adnine或 melamine。 30.如申请专利范围第22项所述之镶嵌制程,其中该 应力调整层系于0.001 ~20托(Torr.)之反应压力下所形 成。 31.如申请专利范围第22项所述之镶嵌制程,其中形 成该应力调整层系于100~500℃之反应温度下所形成 。 32.如申请专利范围第22项所述之镶嵌制程,其中于 溅镀过程中通入有氨气及氮气。 图式简单说明: 第1A至1D图系说明本发明第一实施例中所使用之应 力调整层之镶嵌制程。 |
