| 主权项 |
1.一种用于曝光设备之光学元件,该曝光设备具有 一投射光学系统,该投射光学系统架构成可投射一 原始版(original plate)之图案至一基板上,并以来自 一光源之极紫外光照射该原始版;及经由该原始版 与该投射光学系统将该基板曝露于该光线,该光学 元件系放置于该光线的第一路径与该光线的第二 路径之一中,该光线的第一路径相对该原始版位于 该光源之一侧面中,且该光线的第二路径相对该原 始版位于该基板之一侧面中,该元件包含: 一薄膜,其架构成可传送该极紫外光;及 一屏蔽件,其放置在该薄膜上,且架构成可屏蔽该 薄膜之部份免于该极紫外光照射。 2.如申请专利范围第1项用于曝光设备之光学元件, 其中该薄膜系由矽,碳化矽,SiNx,钻石,或像钻石之 碳的至少一种所制成,且具有不大于2微米之厚度 。 3.一种具有投射光学系统之曝光设备,该投射光学 系统架构成可投射一原始版之图案至一基板上,并 以来自一光源之极紫外光照射该原始版;及经由该 原始版与该投射光学系统将该基板曝露于该光线, 该设备包含: 一光学元件,其如申请专利范围第1项中所界定,并 架构成可放置于该光线的第一路径与该光线的第 二路径之一中,该光线的第一路径相对该原始版位 于该光源之一侧面中,且该光线的第二路径相对该 原始版位于该基板之一侧面中。 4.如申请专利范围第3项之曝光设备,其中该光学元 件系架构成可放置在该第二路径中之一位置,而该 基板将放置在该位置。 5.一种曝光设备,其经由原始版将一基板曝露于极 紫外光,该设备包含: 一投射光学系统,其架构成可投射该原始版之一图 案至该基板上; 一基板架台,其架构成可固持该基板及移动; 一光学元件,其如申请专利范围第1项中所界定,并 放置在该基板架台上;及 一侦测器,其架构成可侦测由该投射光学系统所放 射及传送穿过该光学元件之极紫外光。 6.如申请专利范围第5项之曝光设备,另包含: 一原始版架台,其架构成可固持该原始版及移动; 一标记,其放置在该原始版架台上;一照明光学系 统,其架构成可用极紫外光照射该标记;和 一控制器,其架构成可基于来自该侦测器之输出调 整该基板架台及该原始版架台间之相对位置,该侦 测器接收反射离开该标记之光线,而经由该投射光 学系统及该光学元件藉着该照明光学系统照射该 标记。 7.如申请专利范围第5项之曝光设备,另包含: 一原始版架台,其架构成可固持该原始版及移动; 一反射元件,其放置在该原始版架台上;及 一绕射元件,其架构成可放置于该极紫外光之路径 中及使该极紫外光绕射, 其中该光学元件包含二透明部分,该二透明部分架 构成可由该极紫外光之二光束分别产生一参考光 束及一样本光束,该二光束系藉着该光学元件经由 该反射元件,该绕射元件,及该投射光学系统所接 收;及 该侦测器系架构成可侦测由于该参考光束及该样 本光束之干涉的光强度分布。 8.如申请专利范围第7项之曝光设备,其中该绕射元 件系架构成一如申请专利范围第1项中所界定之光 学元件。 9.如申请专利范围第5项之曝光设备,另包含: 一原始版架台,其架构成可固持该原始版及移动; 及 一反射元件,其放置在该原始版架台上; 其中该光学元件包含一透射部分,该透射部分架构 成可传送极紫外光,用于测量一有效之光源,及 该侦测器系架构成可侦测经由该反射元件,该投射 光学系统,及该光学元件所接收的极紫外光之强度 分布。 10.一种制造一装置之方法,该方法包含诸步骤: 使用如申请专利范围第3项中所界定之曝光设备经 由一原始版将该基板曝露于光线; 使该已曝光之基板显影;及 处理该已显影之基板,以制造该装置。 图式简单说明: 图1系一概要图,其显示根据第一具体实施例之曝 光设备的概要架构; 图2系一流程图,其根据该第一具体实施例说明用 于基线测量之程序; 图3系一仿真晶圆上之标记及环绕根据该第一具体 实施例的光量侦测感应器之部份的放大概要视图; 图4系一放大概要视图,其显示对该仿真晶圆上之 标记及环绕根据该第一具体实施例的光量侦测感 应器的部份之一变化; 图5系一概要图,其显示根据第二具体实施例之曝 光设备的概要架构; 图6系一流程图,其根据该第二具体实施例说明用 于波前像差测量之程序; 图7系一仿真晶圆上之标记及环绕根据该第二具体 实施例的光量侦测感应器之部份的放大概要视图; 图8系一概要图,其说明一在典型曝光设备上之基 线测量方法; 图9系一概要图,其显示一典型曝光设备的投射光 学系统中之像差测量方法; 图10系一概要图,其显示接近一典型曝光设备的晶 圆影像平面之区域; 图11系一图解,其说明一装置制程之流程;及 图12系一图解,其说明一晶圆制程。 |
