| 主权项 |
1.一种正型底部光可成像抗反射涂层组合物,其能 在一种水性硷显影剂中显影及其是涂覆在一层正 型光阻之下,其中该抗反射涂层组合物包含一种光 酸发生剂及一种包含至少一种具一种酸不稳定基 团之单位及至少一种具一种吸收性发色团之单位 之聚合物,且其中该吸收性发色团系选自具有单环 之芳族烃分子团及具有单环之杂环芳族分子团。 2.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该酸不稳 定基团是选自-(CO)O-R,-O-R-,-O(CO)-O-R,-C(CF3)2 O-R,-C(CF3) 2O(CO)O-R及-C(CF3)2 (COOR),其中R是烷基,环烷基,经取代 环烷基,氧环己基,环内酯,基,经取代基,烷氧 烷基,乙醯氧基烷氧基氧烷基,四氢喃基,甲基金 刚烷基,基,四氢喃基及火落酸内酯。 3.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该吸收性 发色团是选自经取代及未取代苯基,及含有选自 氧、氮及硫之杂原子之经取代及未取代杂环芳环 及其组合。 4.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该聚合物 是选自甲基丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯,火落酸内 酯甲基丙烯酸酯,甲基丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯, -羟基--丁内酯之甲基丙烯酸酯,降冰片羧酸第 三-丁酯,甲基丙烯酸第三-丁基甲基金刚烷基酯,丙 烯酸第三-丁酯及甲基丙烯酸第三-丁酯,第三-丁氧 羰氧乙烯基苯,氧羰氧乙烯基苯,乙氧乙基氧乙 烯基苯,乙烯基酚之三甲矽烷醚,及甲基丙烯酸甲 酯之2-三(三甲矽烷)矽烷乙酯,与丙烯酸,甲基丙烯 酸,乙烯醇,顺-丁烯二酸酐,顺-丁烯二酸,顺-丁烯二 醯亚胺,N-甲基顺-丁烯二醯亚胺,N-羟甲基丙烯醯胺 ,N-乙烯基咯啶酮,甲基丙烯酸甲酯,甲基丙烯酸 丁酯,甲基丙烯酸羟乙酯及甲基丙烯酸羟丙酯,羟 基苯乙烯,苯乙烯,乙醯氧苯乙烯,甲基丙烯酸酯, N-甲基顺-丁烯二醯亚胺,苯甲酸乙烯酯,4-第三-丁 基苯甲酸乙烯酯,乙二醇苯基醚丙烯酸酯,丙烯酸 苯氧丙酯,丙烯酸2-羟-3-苯氧丙酯,甲基丙烯酸苯酯 ,甲基丙烯酸酯,N-乙烯基醯亚胺,N-(3-羟基)苯 基甲基丙烯醯胺,N-(3-羟基-4-羟羰苯基偶氮)苯基甲 基丙烯醯胺,N-(3-羟基-4-乙氧羰苯基偶氮)苯基甲基 丙烯醯胺,N-(2,4-二硝苯基胺苯基)顺-丁 烯二醯亚胺,3-(4-乙醯胺苯基)偶氮-4-羟苯乙烯,甲 基丙烯酸3-(4-乙氧羧苯基)偶氮乙醯乙醯氧基乙酯, 甲基丙烯酸3-(4-羟苯基)偶氮-乙醯乙醯氧基乙酯, 甲基丙烯酸3-(4-硫苯基)偶氮乙醯乙醯氧基乙酯之 硫酸四氢铵盐,之共聚物。 5.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该抗反射 层具k値在0.1至1.0之范围。 6.根据申请专利范围第1项之组合物,其中该光酸发 生剂是在450 nm至100 nm之范围敏性。 7.根据申请专利范围第6项之组合物,其中该光酸发 生剂是于波长选自436 nm,365 nm,248 nm,193 nm及157 nm敏 性。 8.一种用于形成一种正像之方法,其包含: a)提供根据申请专利范围第1项之底部光可成像之 抗反射涂层组合物之一层涂层在一种基材上; b)在该底部涂层之上提供一种上部光阻层之一层 涂层; c)使该上部层及底部层成像曝露至相同波长之光 化辐射; d)后曝露烘烤该基材;及 e)以一种水性硷溶液将该上部层及底部层显影。 9.根据申请专利范围第8项之方法,其中在该曝露步 骤之前该抗反射涂层不溶于该水性硷溶液中,而在 该显影步骤之前成为可溶。 10.根据申请专利范围第8项之方法,其中该水性硷 溶液包含氢氧化四甲基铵。 11.根据申请专利范围第10项之方法,其中该水性硷 溶液进一步包含一种界面活性剂。 12.一种正型底部光可成像之抗反射涂层组合物,其 能在一种水性硷显影剂中显影及其是涂覆于一层 正型光阻之下,其中该抗反射涂层组合物包含一种 光酸发生剂,一种吸收性发色团及一种包含至少一 种具一种酸不稳定基团之单位之聚合物。 13.根据申请专利范围第12项之组合物,其中该不稳 定基团是选自-(CO)O-R,-O-R-,-O(CO)-O-R,-C(CF3)2O-R,-C(CF3)2 O(CO)O-R及-C(CF3)2(COOR),其中R是烷基,环烷基,经取代 环烷基,氧环己基,环内酯,基,经取代基,烷氧 烷基,乙醯氧基烷氧基氧烷基,四氢喃基,甲基金 刚烷基,基,四氢喃基及火落酸内酯。 14.根据申请专利范围第12项之组合物,其中该染料 是选自化合物其含取代及未取代苯基,取代及未取 代基,取代及未取代菲基,取代及未取代基,取 代及未取代杂环芳环其含杂原子选自氧,氮,硫,或 其组配。 15.根据申请专利范围第12项之组合物,其中该抗反 射层具k値在0.1至1.0之范围。 16.根据申请专利范围第12项之组合物,其中该光酸 发生剂是在450 nm至100 nm之范围敏性。 17.根据申请专利范围第16项之组合物,其中该光酸 发生剂是对波长选自436 nm,365 nm,248 nm,193 nm及157 nm 敏性。 18.一种用于形成一种正像之方法,其包含: a)提供根据申请专利范围第12项之底部光可成像之 抗反射涂层组合物之一层涂层在一种基材上; b)在该底部涂层之上提供一种上部光阻层之一层 涂层; c)使该上部层及底部层成像曝露至相同波长之光 化辐射; d)后曝露烘烤该基材;及 e)将该上部层及底部层以一种水性硷溶液显影。 19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该抗反射 涂层实质上不溶于该上部光阻之溶剂中。 20.根据申请专利范围第18项之方法,其中该抗反射 层之厚度小于该光阻之厚度。 21.根据申请专利范围第18项之方法,其中该抗反射 涂层在该曝露步骤之前不溶于该水性硷溶液中,而 在该显影步骤之前成为可溶。 22.根据申请专利范围第18项之方法,其中该水性硷 溶液包含氢氧化四甲基铵。 23.根据申请专利范围第22项之方法,其中该水性硷 溶液进一步包含一种界面活性剂。 |
