发明名称 抛弃式电化学感测试片及其制造方法
摘要 本发明为一种抛弃式电化学感测试片及其制造方法,该试片包括至少一绝缘薄片,一第一导电薄膜,其置放于该绝缘薄片上,且该第一导电薄膜具有一第一端及一第二端,以及一第一绝缘层,其置放于该第一导电薄膜上,而该第一绝缘层覆盖该第一端,且该第二端形成一信号输出端,其中该第一端介于该绝缘薄片及该第一绝缘层中间,而于其间外露一第一导电截面,以作为该电化学感测试片之一电极的一工作面。
申请公布号 TWI295373 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW095112884 申请日期 2006.04.11
申请人 禅谱科技股份有限公司;华广生技股份有限公司 发明人 吕慧菁
分类号 G01N27/40(2006.01);G01N33/50(2006.01) 主分类号 G01N27/40(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项 1.一种抛弃式电化学感测试片,其包括: 至少一绝缘薄片; 一第一导电薄膜,其置放于该绝缘薄片上,且该第 一导电薄膜具有一第一端及一第二端;以及 一第一绝缘层,其置放于该第一导电薄膜上,而该 第一绝缘层覆盖该第一端,且该第二端形成一信号 输出端,其中该第一端介于该绝缘薄片及该第一绝 缘层中间,而于其间外露一第一导电截面,以作为 该电化学感测试片之一电极的一工作面。 2.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该第一绝 缘层系为一绝缘薄层,且该绝缘薄层完全覆盖该第 一导电薄膜之该第一端。 3.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该第二端 系为一预留之导电区域,其未被该第一绝缘层所覆 盖,以形成该信号输出端。 4.如申请专利范围第1项所述之试片,其中外露之该 第一导电截面系对该试片进行一纵向裁切而得。 5.如申请专利范围第1项所述之试片,其中置放该第 一导电薄膜系藉由一印刷、一蒸镀、一电镀或一 黏贴的方式,而该试片更具有一第二导电薄膜,且 于该绝缘薄片及该第一绝缘层中间外露一第二导 电截面。 6.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该绝缘薄 片系为一高分子聚合物,而该试片更具有一第二及 一第三导电薄膜,且于该绝缘薄片及该第一绝缘层 中间外露一第二及一第三导电截面。 7.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该第一绝 缘层系为一高分子聚合物,而该试片更具有一第二 导电薄膜及一第二绝缘层,且于该绝缘薄片及该第 二绝缘层中间外露一第二导电截面。 8.如申请专利范围第6或第7项所述之试片,其中该 高分子聚合物系为一热塑性塑胶或一热固性塑胶 。 9.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该第一导 电截面系藉由一物理或一化学方式以进行加工而 得。 10.如申请专利范围第9项所述之试片,其中该物理 方式系为一裁切、一冲模、一钻孔、一水刀或一 雷射的方式。 11.如申请专利范围第9项所述之试片,其中该化学 方式系为一化学蚀刻、一光蚀刻、一化学分解或 一高温燃烧的方式。 12.如申请专利范围第9项所述之试片,其中经过加 工而得之该电极系为一超微电极。 13.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该第一 导电薄膜之一材质系为一碳、铜、银、金、铑、 钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、铱或铋。 14.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该第一 导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、银、金、铑 、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、铱或铋 之氧化物及错化合物。 15.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该第一 导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、银、金、铑 、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、铱或铋 之合金。 16.如申请专利范围第1项所述之试片,其中该电极 系为一工作电极、一辅助电极或一参考电极。 17.一种抛弃式电化学感测试片,其系具有: 一导电薄片,该导电薄片具有一第一端及一第二端 ; 一第一绝缘层,其置放于该导电薄片之一第一面; 以及 一第二绝缘层,置放于该导电薄片之一第二面,且 该第二端形成一信号输出端,其中该第一端介于该 第一及该第二绝缘层中间,而于其间外露一导电截 面,以作为该电化学感测试片之一电极的一工作面 。 18.如申请专利范围第17项所述之试片,其中该导电 薄片系藉由一印刷、一蒸镀、一电镀或一黏贴的 方式而制成。 19.如申请专利范围第17项所述之试片,其中该第一 及该第二绝缘薄片系为一高分子聚合物。 20.如申请专利范围第19项所述之试片,其中该高分 子聚合物系为一热塑性塑胶或一热固性塑胶。 21.如申请专利范围第17项所述之试片,其中该导电 截面系藉由一物理或一化学方式以进行加工而得 。 22.如申请专利范围第21项所述之试片,其中该物理 方式系为一裁切、一冲模、一钻孔、一水刀或一 雷射的方式。 23.如申请专利范围第21项所述之试片,其中该化学 方式系为一化学蚀刻、一光蚀刻、一化学分解或 一高温燃烧的方式。 24.如申请专利范围第21项所述之试片,其中经过加 工而得之该电极系为一超微电极。 25.如申请专利范围第17项所述之试片,其中该导电 薄片之一材质系为一含金属、石墨、导电碳、导 电塑胶、导电高分子、铜、银、金、铑、钌、锰 、铁、白金、锇、镍、钴、汞、铱或铋之薄片。 26.如申请专利范围第17项所述之试片,其中该导电 薄片之一材质系为一含碳、铜、银、金、铑、钌 、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、铱或铋之氧 化物及错化合物。 27.如申请专利范围第17项所述之试片,其中该导电 薄片之一材质系为一含碳、铜、银、金、铑、钌 、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、铱或铋之合 金。 28.如申请专利范围第17项所述之试片,其中该电极 系为一工作电极、一辅助电极或一参考电极。 29.一种抛弃式电化学感测试片,其系具有: 一绝缘薄片; 一第一导电薄膜,其置放于该绝缘薄片之一第一面 上,且该第一导电薄膜具有一第一前端及一第一后 端; 一第一绝缘层,其置放于该第一导电薄膜上,且该 第一后端形成一信号输出端; 一第二导电薄膜,其置放于该绝缘薄片之一第二面 上,且该第二导电薄膜具有一第二前端及一第二后 端;以及 一第二绝缘层,其置放于该第二导电薄膜上,且该 第一及该第二后端形成一信号输出端,其中该第一 及该第二前端介于该绝缘薄片与该第一及该第二 绝缘层中间,而于其间外露一第一及一第二导电截 面,以作为该电化学感测试片之一电极的一工作面 。 30.如申请专利范围第29项所述之试片,更包含一第 三导电薄膜,其置放于该绝缘薄片之一第一面上, 且于该绝缘薄片及该第一绝缘层中间外露一第三 导电截面,其中该第一及该第二导电薄膜系藉由一 印刷、一蒸镀、一电镀或一黏贴的方式而制成。 31.如申请专利范围第29项所述之试片,其中该绝缘 薄片与该第一及该第二绝缘层系为一高分子聚合 物。 32.如申请专利范围第31项所述之试片,其中该高分 子聚合物系为一热塑性塑胶或一热固性塑胶。 33.如申请专利范围第29项所述之试片,其中该导电 截面系藉由一物理或一化学方式以进行加工而得 。 34.如申请专利范围第33项所述之试片,其中该物理 方式系为一裁切、一冲模、一钻孔、一水刀或一 雷射的方式。 35.如申请专利范围第33项所述之试片,其中该化学 方式系为一化学蚀刻、一光蚀刻、一化学分解或 一高温燃烧的方式。 36.如申请专利范围第33项所述之试片,其中经过加 工而得之该电极系为一超微电极。 37.如申请专利范围第29项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜之一材质系为一碳、铜、银、 金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、 铱或铋。 38.如申请专利范围第29项所述之试片,其中该该第 一及该第二导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、 银、金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、 汞、铱或铋之氧化物及错化合物。 39.如申请专利范围第29项所述之试片,其中该该第 一及该第二导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、 银、金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、 汞、铱或铋之合金。 40.如申请专利范围第29项所述之试片,其中该电极 系为一工作电极、一辅助电极或一参考电极。 41.一种抛弃式电化学感测试片,其系具有: 一第一绝缘薄片; 一第一导电薄膜,其置放于该第一绝缘薄片上,该 第一导电薄膜具有一第一前端及一第一后端; 一第二绝缘薄片,其具有一第一面,以置放于该第 一导电薄膜上,且该第一后端形成一信号输出端; 一第二导电薄膜,其置放于该第二绝缘薄片之一第 二面上,该第二导电薄膜具有一第二前端及一第二 后端;以及 一绝缘层,其置放于该第二导电薄膜上,且该第一 及该第二后端形成一信号输出端,其中该第一及该 第二前端介于该绝缘层与该第一及该第二绝缘薄 片中间,而于其间外露一第一及一第二导电截面, 以作为该电化学感测试片之一电极的一工作面。 42.如申请专利范围第41项所述之试片,更包含一第 三导电薄膜,其置放于该第二绝缘薄片之该第二面 上,且于该第二绝缘薄片及该绝缘层中间外露一第 三导电截面,其中该第一及该第二导电薄膜系藉由 一印刷、一蒸镀、一电镀或一黏贴的方式而制成 。 43.如申请专利范围第41项所述之试片,其中该第一 及该第二绝缘薄片与该绝缘层系为一高分子聚合 物。 44.如申请专利范围第43项所述之试片,其中该高分 子聚合物系为一热塑性塑胶或一热固性塑胶。 45.如申请专利范围第41项所述之试片,其中该导电 截面系藉由一物理或一化学方式以进行加工而得 。 46.如申请专利范围第45项所述之试片,其中该物理 方式系为一裁切、一冲模、一钻孔、一水刀或一 雷射的方式。 47.如申请专利范围第45项所述之试片,其中该化学 方式系为一化学蚀刻、一光蚀刻、一化学分解或 一高温燃烧的方式。 48.如申请专利范围第45项所述之试片,其中经过加 工而得之该电极系为一超微电极。 49.如申请专利范围第41项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜之一材质系为一碳、铜、银、 金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、 铱或铋。 50.如申请专利范围第41项所述之试片,其中该该第 一及该第二导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、 银、金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、 汞、铱或铋之氧化物及错化合物。 51.如申请专利范围第41项所述之试片,其中该该第 一及该第二导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、 银、金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、 汞、铱或铋之合金。 52.如申请专利范围第41项所述之试片,其中该电极 系为一工作电极、一辅助电极或一参考电极。 53.一种抛弃式电化学感测试片,用于测试一待测流 体之一分析物,其系具有: 一第一绝缘薄片; 一第一及一第二导电薄膜,其置放于该第一绝缘薄 片之一第一面上,该第一及该第二导电薄膜各具有 一电极作用端及一信号输出端; 一绝缘层,其置放于该第一、二导电薄膜上,其中 各该电极作用端介于该第一绝缘薄片与该绝缘层 中间,而于其间外露一第一及一第二导电截面与一 流体通道,并以该第一及该第二导电截面作为该电 化学感测试片之一电极的一工作面; 一第二绝缘薄片,其置放于该第一及该第二导电薄 膜与该流体通道上方;以及 一盖片,其置放于该流体通道下方,以形成该待测 流体之一量测区域。 54.如申请专利范围第53项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜系藉由一印刷、一蒸镀、一电 镀或一黏贴的方式而制成。 55.如申请专利范围第53项所述之试片,其中该第一 绝缘薄片、该绝缘层及该第二绝缘薄片系为一高 分子聚合物,且该第一绝缘薄片及该绝缘层各具有 一第一凹槽及一绝缘凹槽,该流体通道即由该第一 凹槽及该绝缘凹槽所合成之一狭长凹槽。 56.如申请专利范围第55项所述之试片,其中该高分 子聚合物系为一热塑性塑胶或一热固性塑胶。 57.如申请专利范围第53项所述之试片,其中该第一 及第二导电截面系藉由一物理或一化学方式以进 行加工而得。 58.如申请专利范围第57项所述之试片,其中该物理 方式系为一裁切、一冲模、一钻孔、一水刀或一 雷射的方式。 59.如申请专利范围第57项所述之试片,其中该化学 方式系为一化学蚀刻、一光蚀刻、一化学分解或 一高温燃烧的方式。 60.如申请专利范围第57项所述之试片,其中经过加 工而得之该电极系为一超微电极。 61.如申请专利范围第53项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜之一材质系为一碳、铜、银、 金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、 铱或铋。 62.如申请专利范围第53项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、银 、金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞 、铱或铋之氧化物及错化合物。 63.如申请专利范围第53项所述之试片,其中该该第 一及该第二导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、 银、金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、 汞、铱或铋之合金。 64.如申请专利范围第53项所述之试片,其中该电极 系为一工作电极、一辅助电极或一参考电极。 65.如申请专利范围第53项所述之试片,其中该待测 流体为一样品,且该流体通道系为该样品之一进入 口。 66.一种抛弃式电化学感测试片,用于测试一待测流 体之一分析物,其包括: 一第一绝缘薄片,其具有一置放面; 一第一及一第二导电薄膜,其安置于该置放面上, 该第一及该第二导电薄膜各具有一第一端及一第 二端;以及 一绝缘层,其置放于该第一及该第二导电薄膜上, 该绝缘层覆盖各该第一端,且各该第二端形成一信 号输出端,其中各该第一端介于该绝缘层与该第一 绝缘薄片中间,而于其间外露一第一及一第二导电 截面,并以该第一及该第二导电截面作为该电化学 感测试片之一电极的一工作面。 67.如申请专利范围第66项所述之试片,其中该绝缘 层与该第一绝缘薄片系具有一流体通道,且该试片 更包含一第二绝缘薄片,其置放于该第一导电薄膜 、该第二导电薄膜及该流体通道上方。 68.如申请专利范围第67项所述之试片,其中该第一 绝缘薄片、该绝缘层及该第二绝缘薄片之材料系 为一高分子聚合物。 69.如申请专利范围第67项所述之试片,更包含一盖 片,其置放于该流体通道下方,以形成该待测流体 之一量测区域,且该试片更包含一化学试剂,其置 放于该流体通道,用于与该分析物产生化学反应, 而由该电极及各该第二端将一电子量测讯号输出 。 70.如申请专利范围第69项所述之试片,其中该盖片 系为一非导电性质的高分子聚合物。 71.如申请专利范围第68或第70项所述之试片,其中 该高分子聚合物系为一热塑性塑胶或一热固性塑 胶。 72.如申请专利范围第67项所述之试片,更包含一化 学试剂,系被置放于该流体通道中。 73.如申请专利范围第72项所述之试片,其中该之化 学试剂系为一含酵素、抗原、抗体、电解质、增 稠剂、水或生化物质保护剂。 74.如申请专利范围第66项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜系藉由一印刷、一蒸镀、一电 镀或一黏贴的方式而制成,且该试片具有一圆形开 孔。 75.如申请专利范围第66项所述之试片,其中该第一 及第二导电截面系藉由一物理或一化学方式以进 行加工而得,而该第一绝缘薄片及该绝缘层分别为 一不导电的基板及一圆盘式的薄膜,且该第一及该 第二导电薄膜即以一辐射状形式被涂覆于该不导 电的基板上。 76.如申请专利范围第75项所述之试片,其中该物理 方式系为一裁切、一冲模、一钻孔、一水刀或一 雷射的方式,且该试片具有一圆盘中心开孔。 77.如申请专利范围第75项所述之试片,其中该化学 方式系为一化学蚀刻、一光蚀刻、一化学分解或 一高温燃烧的方式。 78.如申请专利范围第75项所述之试片,其中经过加 工而得之该电极系为一超微电极。 79.如申请专利范围第66项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜之一材质系为一碳、铜、银、 金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞、 铱或铋,且该试片更包含一盖片以形成一狭长通道 ,其为该待测流体之一量测区域。 80.如申请专利范围第79项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、银 、金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞 、铱或铋之氧化物及错化合物,且该试片更包含一 端部绝缘层,以形成该流体通道。 81.如申请专利范围第66项所述之试片,其中该第一 及该第二导电薄膜之一材质系为一含碳、铜、银 、金、铑、钌、锰、铁、白金、锇、镍、钴、汞 、铱或铋之合金。 82.如申请专利范围第66项所述之试片,其中该电极 系为一电极组之一工作电极、一辅助电极或一参 考电极。 83.如申请专利范围第67项所述之试片,其中该待测 流体为一样品,且该流体通道系为该样品之一进入 口。 84.一种抛弃式电化学感测试片之制造方法,其包括 如下步提供至少一绝缘薄片; 于该绝缘薄片上置放一第一导电薄膜,该第一导电 薄膜具有一第一端及一第二端; 置放一第一绝缘层于该第一导电薄膜上,而该第一 绝缘层覆盖该第一端,且该第二端形成一信号输出 端;以及 析离该第一端,俾获致一第一导电截面,且该第一 导电截面即为该电化学感测试片之一电极的一工 作面。 85.如申请专利范围第84项所述之方法,其中该试片 之析离系藉由一裁断切割、一冲模压穿、一钻孔 、一水刀、一雷射、一化学蚀刻、一光蚀刻、一 化学分解或一高温燃烧的方式进行。 86.一种用于测试一待测流体之一分析物的抛弃式 电化学感测试片之制造方法,其包括如下步骤: 提供一第一绝缘薄片,其具有一置放面; 于该置放面上安置一第一及一第二导电薄膜,该第 一及该第二导电薄膜各具有一第一端及一第二端; 于该第一及该第二导电薄膜上置放一绝缘层,该绝 缘层覆盖各该第一端,且各该第二端形成一信号输 出端;以及 析离各该第一端,俾获致一第一导电截面及一第二 导电截面,且该第一导电截面、第二导电截面系分 别为一电极的一工作面。 图式简单说明: 第一图(A)-(C):是本发明的抛弃式电化学感测试片 之较佳实施例的爆开立体示意图、组合立体示意 图及前视示意图; 第二图(A)-(D):是本发明的抛弃式电化学感测试片 之之另外二个较佳实施例的立体及剖面示意图; 第三图(A)-(D):是本发明的抛弃式电化学感测试片 之又一较佳实施例的爆开立体示意图、组合立体 示意图、前视示意图及再一较佳实施例的爆开立 体示意图; 第四图(A)-(B):本发明的抛弃式电化学感测试片之 另一较佳实施例的立体示意图及前视示意图; 第五图(A)-(C):是本发明的抛弃式电化学感测试片 之再一较佳实施例的爆开立体示意图、组合立体 示意图及前视示意图; 第六图:是本发明的抛弃式电化学感测试片之又一 较佳实施例的立体示意图; 第七图:是本发明的抛弃式电化学感测试片之另一 较佳实施例的立体示意图; 第八图(A)-(B):是第七图中的试片与第二绝缘薄片 及盖片相组合之背面的立体示意图与其爆开的立 体示意图; 第九图(A)-(C):是本发明的抛弃式电化学感测试片 之再一较佳实施例的爆开立体示意图、组合立体 示意图及中央部位的立体放大示意图; 第十图:是第一图中的试片结合参考电极与辅助电 极进行生化检体的量测示意图; 第十一图(A)-(B):是本发明的抛弃式电化学感测试 片之又一及另一较佳实施例的组合立体示意图; 第十二图:是利用氰化铁进行本发明的微电极之电 化学反应行为测试的电压与电流关系图; 第十三图:是利用氰化铁进行一般电极之电化学反 应行为测试的电压与电流关系图; 第十四图:是测定人体血液样品中的葡萄糖浓度测 试的浓度与电流关系图; 第十五图:是进行本发明之重金属离子侦测的的电 压与电流关系图;以及 第十六图(A)-(B):是习知的二种抛弃式电化学感测 试片之爆开立体示意图。
地址 台中县大里市仁化路694号