发明名称 反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻/沈积制程
摘要 一种反应腔室泄漏的检测方法,此方法系首先在一反应腔室中通入一气体,且所通入之气体系以全流量之条件通入反应腔室中。之后,量测反应腔室中之压力是否异常,即可判断出反应腔室是否有泄漏。若有泄漏之情形发生,外界的空气将会进入反应腔室中而使反应腔室之压力提高,如此即可判断出反应腔室有泄漏。
申请公布号 TWI295489 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW093122033 申请日期 2004.07.23
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张圣文;简益辉;林仲仁;林佩筠
分类号 H01L21/66(2006.01);G01M3/02(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种反应腔室泄漏的检测方法,包括: 在一反应腔室中通入一气体,其中该气体系以全流 量之条件通入该反应腔室中;以及 量测该反应腔室中之压力是否异常,以判断该反应 腔室是否有泄漏,其中倘若该反应腔室内之制程压 力是小于外界压力,则若该反应腔室有泄漏,则该 反应腔室中之压力会大于未泄漏之该反应腔室之 压力,倘若该反应腔室内之制程压力是大于外界压 力,则若该反应腔室有泄漏,则该反应腔室中之压 力会小于未泄漏之该反应腔室之压力。 2.如申请专利范围第1项所述之反应腔室泄漏的检 测方法,其中该反应腔室是一剥除光阻之腔室。 3.如申请专利范围第2项所述之反应腔室泄漏的检 测方法,其中所通入之该气体系为水蒸气。 4.如申请专利范围第3项所述之反应腔室泄漏的检 测方法,其中若通入该反应腔室内之水蒸气的全流 量为1000sccm,则未泄漏之该反应腔室之压力系介于0 .14至0.15Torr,而有泄漏之该反应腔室之压力系介于0 .18至0.20Torr。 5.一种蚀刻/沈积制程,包括: 在一反应腔室中通入一气体,其中该气体系以全流 量之条件通入该反应腔室中; 量测该反应腔室中之压力是否异常,其中倘若该反 应腔室内之制程压力是小于外界压力,则若该反应 腔室有泄漏,则该反应腔室中之压力会大于未泄漏 之该反应腔室之压力,倘若该反应腔室内之制程压 力是大于外界压力,则若该反应腔室有泄漏,则该 反应腔室中之压力会小于未泄漏之该反应腔室之 压力; 倘若该反应腔室内之压力正常,则恢复该气体通入 该反应腔室内之流量;以及 通入一反应气体至该反应腔室内以进行一制程反 应。 6.如申请专利范围第5项所述之蚀刻/沈积制程,其 中该反应腔室是一剥除光阻之腔室,且通入之该气 体系为水蒸气。 7.如申请专利范围第6项所述之蚀刻/沈积制程,其 中通入该反应腔室内之水蒸气的全流量系为1000 sccm,且未泄漏之该反应腔室之压力系介于0.14至0.15 Torr,而有泄漏之该反应腔室之压力系介于0.18至0. 20 Torr。 8.如申请专利范围第6项所述之蚀刻/沈积制程,其 中该反应气体包括氧气与氮气。 图式简单说明: 第1图是依照本发明一较佳实施例之剥除光阻层之 流程图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号