半导体装置

摘要

本发明揭示一种半导体装置。知的半导体装置有为了保护元件免受到过电压影响而设置的N型扩散区域狭窄，崩溃(break down)电流集中，使保护用的PN接合区域被破坏的问题。本发明之半导体装置系跨涉基板2及磊晶层3而形成有N型埋入扩散层4。P型埋入扩散层5是形成在跨涉N型埋入扩散层4上面的广大区域，而形成有过电压保护用的PN接合区域16。P型扩散层6是以与P型埋入扩散层5连结的方式而形成。PN接合区域16的崩溃电压比源极－汲极间的崩溃电压低。藉由此构造，可防止崩溃电流集中，并且保护半导体装置免受到过电压影响。

主权项

1.一种半导体装置,系具有: 一导电型的半导体基板; 形成在前述半导体基板上的逆导电型的磊晶层; 形成在跨涉前述半导体基板及前述磊晶层的逆导 电型的埋入扩散层; 形成在前述逆导电型的埋入扩散层上,并且具有与 前述逆导电型的埋入扩散层之第1接合区域的一导 电型的埋入扩散层,形成在前述磊晶层,并且被用 来作为汲极区域的一导电型的第1扩散层; 形成在前述一导电型的第1扩散层,并且被用来作 为背闸极区域,且具有与前述一导电型的第1扩散 层之第2接合区域的逆导电型的第1扩散层; 形成在前述逆导电型的第1扩散层,并且被用来作 为源极区域的一导电型的第2扩散层; 形成在前述磊晶层上的闸极氧化膜及闸极电极;以 及 形成在前述磊晶层,并且在前述磊晶层上方与前述 一导电型的第2扩散层电性连接的逆导电型的第2 扩散层,而 前述第1接合区域的崩溃电压系比前述第2接合区 域的崩溃电压低。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述 一导电型的第1扩散层是与前述一导电型的埋入扩 散层连结。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,在前 述一导电型的第1扩散层形成有被用来作为汲极导 出区域的一导电型的第3扩散层,在前述一导电型 的第1扩散层系交替反覆配置有前述一导电型的第 3扩散层及前述逆导电型的第1扩散层。 图式简单说明: 第1图是说明本发明实施形态之半导体装置的剖面 图。 第2图(A)是用来说明本发明实施形态之半导体装置 具有过电压保护构造时的剖面图,(B)是用来说明本 发明实施形态之半导体装置不具有过电压保护构 造时的剖面图。 第3图(A)是用来说明本发明实施形态之半导体装置 具有过电压保护构造时之冲突游离化产生区域的 图,(B)是用来说明本发明实施形态之半导体装置不 具有过电压保护构造时之冲突游离化产生区域的 图。 第4图是用来说明本发明实施形态之半导体装置的 源极-汲极间的电流値与源极-汲极间的电压値的 关系图。 第5图是说明本发明实施形态之半导体装置的剖面 图。 第6图是说明本发明实施形态之半导体装置之制造 方法的剖面图。 第7图是说明本发明实施形态之半导体装置之制造 方法的剖面图。 第8图是说明本发明实施形态之半导体装置之制造 方法的剖面图。 第9图是说明本发明实施形态之半导体装置之制造 方法的剖面图。 第10图是说明本发明实施形态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 第11图是说明本发明实施形态之半导体装置之制 造方法的剖面图。