发明名称 磁控复合体研抛装置与方法
摘要 本案系提供一种磁控复合体研抛装置与方法。该磁控复合体研抛装置包含:一磁性材料、一感应线圈、一磁极、一磁性物质、一承载台以及一阻隔装置。该磁控复合体研抛方法,其步骤包含提供一磁控复合体研抛装置、一磨料液所包覆之一复合体及一加工件;对该磁控复合体研抛装置通一电流,使该磁控复合体研抛装置感应产生一磁场;利用该磁场吸附该复合体;以及利用为该磨料液所包覆的该复合体对该加工件的研抛面进行研抛。
申请公布号 TWI295219 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW094138327 申请日期 2005.11.01
申请人 财团法人国家实验研究院 发明人 黄国政;张正星;黄建尧;陈峰志
分类号 B24B31/112(2006.01);B24B37/00(2006.01) 主分类号 B24B31/112(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项 1.一种磁控复合体研抛装置,其包含: 一磁性材料,其位于该磁控复合体研抛装置的一旋 转主轴,用以产生一磁力; 一感应线圈,其缠绕于该磁性材料,用以施加一电 流,与该磁性材料感应产生一磁场; 一磁极,其位于该磁控复合体研抛装置的一端,与 该磁性材料相接合,其利用该磁场吸附一磁性物质 ; 一承载台,其位于该磁控复合体研抛装置的一端, 用以放置一待处理物,利用该磁极所吸附之该磁性 物质对放置于该承载台上的该待处理物表面进行 研抛;以及 一阻隔装置,位于该磁性材料与该磁极之间,用以 阻绝该磁极所吸附之该磁性物质在研抛过程中旋 出或脱移该磁控复合体研抛装置。 2.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该旋转主轴可作一升降的运动。 3.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该旋转主轴以该磁极表面的中心为一固定 点,作一任意角度偏摆的运动。 4.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该旋转主轴的转速为可调式。 5.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该旋转主轴的偏摆速度为可调式。 6.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该磁极可为平面。 7.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该磁极可为凹面。 8.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该磁极可为凸面。 9.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该磁极的轴心为实心。 10.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该磁极的轴心为非实心。 11.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该磁极的表面具有一沟槽。 12.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该承载台的转速为可调式。 13.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该磁极与该承载台间可容纳一加工件。 14.如申请专利范围第13项所述之磁控复合体研抛 装置,其中该加工件靠近该磁极的表面为研抛面。 15.如申请专利范围第13项所述之磁控复合体研抛 装置,其中该磁极与该承载台间可容纳一复合体, 该磁极吸附该复合体对该研抛面进行研抛。 16.如申请专利范围第13项所述之磁控复合体研抛 装置,其中该磁极与该承载台间可容纳一磨料粒。 该磨料粒包覆该复合体对该研抛面进行研抛。 17.如申请专利范围第1项所述之磁控复合体研抛装 置,其中该阻隔装置乃用以阻绝复合体或磨料粒在 研抛过程中,脱离研抛面。 18.一种复合体,其包含: 至少一磁性材料; 一磨料;以及 一结合剂; 其中,该结合剂乃用于结合该磨料与该磁性材料, 且该磁性材料为该磨料与该结合剂所包覆。 19.如申请专利范围第18项所述之复合体,其中该磁 性材料包含铁、钴、镍等材料中的其一。 20.如申请专利范围第19项所述之复合体,其中该磁 性材料包含铁、钴、镍等材料的合金化合物。 21.如申请专利范围第18项所述之复合体,其中该磨 料包含碳化矽、氧化铁、氧化铈、氧化锆、三氧 化二铝及钻石等材料中的其一。 22.如申请专利范围第21项所述之复合体,其中该磨 料包含碳化矽、氧化铁、氧化铈、氧化锆、三氧 化二铝及钻石等材料的化合物。 23.如申请专利范围第18项所述之复合体,其应用于 一研抛装置,以对一加工件的一研抛面进行研抛, 其中该研抛装置包含一磁极。 24.如申请专利范围第23项所述之复合体,其在该磁 极与该研抛面之间作一固定的运动。 25.如申请专利范围第23项所述之复合体,其在该磁 极与该研抛面之间作一移动的运动。 26.如申请专利范围第23项所述之复合体,其在该磁 极与该研抛面之间作一转动的运动。 27.如申请专利范围第23项所述之复合体,其在该磁 极与该研抛面之间作固定、移动、转动的混合的 运动。 28.一种磁控复合体研抛方法,其步骤包含: 提供一磁控复合体研抛装置、一磨料液所包覆之 一复合体及一加工件; 对该磁控复合体研抛装置通一电流,使该磁控复合 体研抛装置感应产生一磁场; 利用该磁场吸附该复合体;以及 利用为该磨料液所包覆的该复合体对该加工件的 研抛面进行研抛。 29.如申请专利范围第28项所述之磁控复合体研抛 方法,其中该磁控复合体研抛装置为一电磁结构。 30.如申请专利范围第28项所述之磁控复合体研抛 方法,其中该复合体为一磨料与一结合剂包覆至少 一磁性材料的结构。 图式简单说明: 第一图:其系本案之磁控复合体研抛装置之较佳实 施例之磁控研抛加工示意图; 第二图(a)(b)(c):其系本案之磁控复合体研抛装置之 磁极几何形状示意图; 第三图:其系本案之磁控复合体研抛装置之磁极表 面具有复数个沟槽之立体示意图; 第四图:其系本案之磁控复合体研抛装置之磁极表 面具有复数个沟槽之剖视示意图; 第五图(a)(b)(c)(d)(e)(f):其系本案之复合体基础结构 示意图; 第六图(a)(b)(c)(d)(e):其系本案之复合体磁性材料偏 心结构示意图; 第七图:其系本案所述复合球体密合示意图; 第八图:其系本案之磁控复合体研抛装置之阻隔装 置示意图;以及 第九图:其系本案所述磨料液包覆复合体示意图。
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