发明名称 | 过电压保护元件之结构与材料及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种过电压保护元件之材料与结构。该材料包含P型半导体粉末或N型半导体粉末及黏结剂。该过电压保护元件的结构包含:一第一电极;一第二电极;及一多孔隙基质,连接于该第一电极与该第二电极之间。本发明更提供制造该过电压保护元件的方法。 | ||
申请公布号 | TW200816590 | 申请公布日期 | 2008.04.01 |
申请号 | TW095136059 | 申请日期 | 2006.09.28 |
申请人 | 佳邦科技股份有限公司 | 发明人 | 刘德邦;张琇云 |
分类号 | H02H3/20(2006.01) | 主分类号 | H02H3/20(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 陈长文 | |
主权项 | |||
地址 | 苗栗县竹南镇公义里11邻科义街11号 |