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发明名称
具有字线带结构之半导体记忆体装置以及其相关联组态方法
摘要
一种具有一记忆体单元阵列之半导体记忆体装置,其含有往一位元线方向与一字线方向排列的子记忆体单元阵列,该字线方向垂直于该位元线方向。该等记忆体单元阵列包含复数个记忆体单元。该记忆体装置进一步包括:感测放大部分,该等感测放大部分系排列于往该位元线方向的该等子记忆体单元阵列之间;接触接合部分,该等接触接合部分系排列于往该字线方向的该等子记忆体单元阵列之间;接合部分,该等接合部分系排列于往该字线方向的该等感测放大器之间。一主字线,其交叠于往该字线方向的该等子记忆体单元阵列之间的一字线。
申请公布号
TW200816215
申请公布日期
2008.04.01
申请号
TW096123907
申请日期
2007.06.29
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
金真怜
分类号
G11C5/02(2006.01)
主分类号
G11C5/02(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文;林嘉兴
主权项
地址
韩国
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