记忆体元件之制造方法

摘要

一种记忆体元件之制造方法。此记忆体元件包括一沟槽位于一基底中，一电容器位于沟槽之下半部，一领型介电层位于电容器上且覆盖部分沟槽侧壁，一导电层填满电容器上之部分沟槽。首先，形成第一罩幕层之侧壁为厚。其后，形成第二罩幕层于第一罩幕层上。离子布植部分位于沟槽中之第二罩幕层。接着，移除未被布植之第二罩幕层。