发明名称 三状态一次可编程记忆体元件
摘要 本发明揭示了一种进行编程,试验和调整操作的方法。该方法包括应用编程电路编程一次可编程记忆体以探测和读出一次可编程记忆体的三个不同状态之一的步骤,用一次可编程记忆体的三个状态之一实行调整操作,由此实现对一次可编程记忆体元件更高的利用。选择一次可编程的两个导电电路并将其编程为两个不同的操作特性因此而能实现存储和读出一次可编程记忆体的三个不同的状态之一。该两个导电电路可以包括两个不同的电晶体,用于编程为具有不同的电流传导特性的线性电阻和非线性电阻。所述编程处理包括施加高电压和不同的编程电流,因此而产生该两个电晶体的不同的工作特性。
申请公布号 TW200816382 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096134755 申请日期 2007.09.17
申请人 万国半导体股份有限公司 发明人 胡永中;张育诚;戴嵩山
分类号 H01L21/8229(2006.01) 主分类号 H01L21/8229(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 美国