| 摘要 |
本发明提供一种长成具有减小差排密度的第三族氮化物薄膜结构之方法。依据本发明之方法，包含在施加一离子流时，而较佳的系在该基板静止或为非旋转基板时长成一第三族薄膜材料。该离子流较佳的系作为一离子束以掠射入射角施加。在此等条件下之长成产生一奈米级表面皱纹，该表面皱纹具有一特有特征尺寸，例如可以由波长或表面粗糙度测量。在产生该表面皱纹后，较佳的系在同一长成反应器中，让该基板在一使得该表面皱纹减小之离子流中旋转。形成一表面皱纹并接着随后减小或移除该表面皱纹之结果系形成有效地过滤差排之一奈米雕刻的区域及抛光的过渡区域。重复此类奈米雕刻及抛光的区域可有利地使薄膜结构中的差排密度明显减小。 |
