发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 一种半导体元件系由基材、闸极电极、一对第一掺杂区、一对第二掺杂区及至少一虚设图案所组成。其中,闸极电极系位于基材上。第一掺杂区系位于基材中,并分别毗邻闸极电极之两侧。第二掺杂区则分别位于第一掺杂区中。虚设图案系位于第一掺杂区上方,并暴露出第二掺杂区。
申请公布号 TW200816476 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW095134481 申请日期 2006.09.18
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 王廷熏
分类号 H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼