| 摘要 |
本发明系关于一种将经电浆蚀刻且具有表面键结矽烷醇基团之低Ｋ介电材料予以修补的方法，其包括使该介电材料之至少一个表面暴露于：(a)触媒中，以便在该触媒与该表面键结之矽烷醇基团间形成氢键，获得催化中间体，其与矽烷封端剂反应以形成表面键结之矽烷化合物；或(b)包含超临界溶剂、触媒及矽烷封端剂之溶液中，以便在触媒与该表面键结之矽烷醇基团间形成氢键，获得催化中间体，其与矽烷封端剂反应以形成表面键结之矽烷化合物。在相邻表面键结之矽烷化合物间可形成水平网络。介电材料可用有机酸进一步处理以催化水解反应，使表面键结之矽烷化合物上的烷氧基基团形成矽烷醇基团，该等基团可经加热缩合以除去副产物水。 |
