| 摘要 |
一种非挥发性记忆体阵列，包含一个或更多电子可抹除及可程式记忆体(EEPROM)胞元配对。各电子可抹除及可程式记忆体胞元配对系包含三电晶体及储存两资料位元，有效地提供 1.5 电晶体电子可抹除及可程式记忆体胞元。一电子可抹除及可程式记忆体胞元配对系包含一第一非挥发性记忆体电晶体，一第二非挥发性记忆体电晶体，及一源极存取电晶体。该源极存取电晶体包含一第一半导体区域，以该第一非挥发性记忆体电晶体的一源极区域连续，一第二半导体区域，以该第二非挥发性记忆体电晶体的一源极区域连续，及一第三半导体区域，向下通过一第一井区域延伸接触一第二井区域，其中该第一，第二及第三半导体区域，及该第二井区域系具有一第一传导类型，而该第一井区域系具有与该第一传导类型相对的一第二传导类型。 |
