2-电晶体非挥发性记忆体单元及其相关记忆体阵列2-TRANSISTOR NONVOLATILE MEMORY CELL AND RELATED MEMORY ARRAY

摘要

本发明揭露一种2-电晶体(2T)非挥发性记忆体单元，包括一第一电晶体以及一第二电晶体。第一电晶体以及第二电晶体分别具有一源极以及一汲极，由其间之一通道所分开、一在该通道上方靠近该源极端之浮置闸极、以及一在该浮置闸极以及该通道上方靠近该汲极端之一控制闸极。第一以及该第二电晶体之源极、浮置闸极、以及控制闸极系分别互相连接。此外，第二电晶体之驱动能力系大致上大于第一电晶体之驱动能力。