发明名称 可变电阻式记忆体
摘要 本发明提供一种可变电阻式记忆体装置,其包括:记忆体区段;该等记忆体区段中之每一者中之记忆体单元;次字线,其包括一与一第一区段中之至少一第一对该等记忆体单元信号通信之第一者及一与一第二区段中之至少一第二对该等记忆体单元信号通信之第二者;本地位元线,其各与一记忆体单元信号通信;一本地位元线选择信号产生器,其与本地位元线选择信号路径信号通信,该等本地位元线选择信号路径包括一与一第一对该等本地位元线信号通信之第一本地位元线选择信号路径及一与一第二对该复数个本地位元线信号通信之第二本地位元线选择信号路径,其中该第一对该等本地位元线中之一第一者与该第一区段中之该第一对该等记忆体单元中之一第一者信号通信,且该第一对本地位元线中之一第二者与该第二区段中之该第二对该等记忆体单元中之一第二者信号通信,且该第二对本地位元线中之一第一者与该第一区段中之该第一对该等记忆体单元中之一第二者信号通信,且该第二对本地位元线中之一第二者与该第二区段中之该第二对该等记忆体单元中之一第一者信号通信。
申请公布号 TW200816201 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096119027 申请日期 2007.05.28
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 崔炳吉
分类号 G11C13/00(2006.01) 主分类号 G11C13/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;林嘉兴
主权项
地址 韩国