发明名称 静态随机存取记忆体巨集以及双埠静态随机存取记忆体装置
摘要 一静态随机存取记忆体(SRAM)巨集包含:一细胞阵列有由数个位元线及数个字元线所定址的一个或数个SRAM 细胞;一个或数个参考细胞耦合到至少一个参考位元线,和耦合到定址该等 SRAM 细胞的该字元线;以及至少一个感测放大器,有一第一端接收产生自一选择的 SRAM 细胞的一感测电流,和一第二端接收一参考电流产生自该参考细胞,该参考细胞由耦合至该选择的 SRAM 细胞的相同字元线所控制,以比较该感测电流与该参考电流来产生一输出讯号代表该选择的 SRAM 细胞的逻辑状态。
申请公布号 TW200816200 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096104057 申请日期 2007.02.05
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 廖忠志
分类号 G11C11/41(2006.01) 主分类号 G11C11/41(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号