发明名称 | 多埠记忆体存取控制模组 | ||
摘要 | 本发明系为一种多埠记忆体存取控制模组,尤指可利用于影像或音效之资料处理、资料增益、马达控制等领域之多埠记忆体存取控制模组,而该多埠记忆体存取控制模组可分别与复数个外部先进先出记忆体以及动态随机存取记忆体相连接,而多埠记忆体存取控制模组则设置有复数之存取埠,且该存取埠系由可将请写资料之汇流排宽度调整至与记忆体控制介面相同宽度之封装/反封装装置、可调节使用者介面与记忆体时脉域不同之内部先进先出记忆体以及可产生存取位址之位址累进计数器所构成,因此透过上述装置将可配合动态随机存取记忆体之高读取速度、低成本之特性以及保留先出记忆体读写控制容易之功效者。 | ||
申请公布号 | TW200815984 | 申请公布日期 | 2008.04.01 |
申请号 | TW095134647 | 申请日期 | 2006.09.19 |
申请人 | 凌华科技股份有限公司 | 发明人 | 蔡颖铭 |
分类号 | G06F13/00(2006.01) | 主分类号 | G06F13/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 江明志;张朝坤 | |
主权项 | |||
地址 | 台北县中和市建一路166号9楼、9楼之1、9楼之2、9楼之3 |