| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de métallisation d'au moins une cellule photovoltaïque (100) comportant un substrat (102) à base de semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une couche (104) dopée d'un second type de conductivité réalisée dans le substrat (102) et formant une face avant du substrat (102), une couche (106) antireflet réalisée sur la face avant du substrat (102) et formant une face avant (108) de la cellule photovoltaïque (100). Le procédé comporte au moins les étapes de :a) réalisation d'au moins une métallisation (110) sur la face avant (108) de la cellule photovoltaïque (100),b) premier recuit de la cellule photovoltaïque (100) à une température comprise entre environ 800°C et 900°C,c) réalisation d'au moins une métallisation (112) sur une face arrière du substrat (102),d) second recuit de la cellule photovoltaïque (100) à une température comprise entre environ 700°C et 800°C.</p> |
