| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN MOSFET A TRANCHEE LATERALE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2856515(B1) |
申请公布日期 |
2008.03.28 |
| 申请号 |
FR20040006161 |
申请日期 |
2004.06.08 |
| 申请人 |
FUJI ELECTRIC DEVICE TECHNOLOGY CO LTD |
发明人 |
YAMAJI MASAHARU;KITAMURA AKIO;FUJISHIMA NAOTO |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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