| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung schließt ein: Ein Substrat (11) einschließlich eines Verbundhalbleiters, eine auf einer Oberfläche des Substrats (11) gebildete Halbleiterschicht (12), eine Vielzahl von auf der Halbleiterschicht (12) ausgebildeten Gate-Elektroden (13), eine Vielzahl von auf der Halbleiterschicht (12) ausgebildeten Source-Elektroden (14), eine Vielzahl von auf der Halbleiterschicht (12) ausgebildeten Drain-Elektroden (15), ein Durchgangsloch (16), das konfiguriert ist, um sich von einer Substratseite der Halbleiterschicht (12) zu einer rückseitigen Oberfläche der Source-Elektrode zu erstrecken, eine Masse-Elektrode (17), die auf einer Innenwand des Durchgangslochs (16) und auf der rückseitigen Oberfläche des Substrats (11) ausgebildet ist und die Vielzahl von Source-Elektroden (14) verbindet, und eine erste Luftbrücken-Zwischenverbindung (23), die auf einer Oberflächenseite der Source-Elektrode (14) ausgebildet ist, und die Vielzahl von Source-Elektroden (14) verbindet.
|
