Verfahren zum Aufbringen von Schichten auf Substraten mit gekrümmten Oberflächen

摘要

Die Erfindung betrifft Verfahren zur Abscheidung von Schichten mit gleichmäßiger Schichtdickenverteilung auf zumindest einer gekrümmten Oberfläche eines Substrates mittels eines Plasma-CVD-Prozesses, bei welchem ein Plasma- oder Ionenstrahl in Richtung zur Substratoberfläche durch eine dem Substrat gegenüberliegende Plasma- oder Ionenstrahlquelle erzeugt wird, ein Prozessgas über ein Gaszufuhrsystem stromab der Plasma- oder Ionenstrahlquelle eingelassen wird, wobei das Prozessgas mittels des Gaszufuhrsystems definiert an der Oberfläche des Substrates verteilt wird und ein Gasfluss des Anregungsgases und eine Plasmaleistung der Plasma- oder Ionenstrahlquelle eingestellt werden, bei welchen die Prozessgasmenge durch das angeregte Anregungsgas des Plasma- oder Ionenstrahls an der Oberfläche des Substrates nahezu vollständig umgesetzt wird.