Bauteil aus Quarzglas zum Einsatz bei der Halbleiterfertigung und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Es wird ausgegangen von einem bekannten Bauteil aus Quarzglas zum Einsatz bei der Halbleiterfertigung, das mindestens in einem oberflächennahen Bereich eine Co-Dotierung von einem ersten Dotierstoff und einem zweiten oxidischen Dotierstoff aufweist, wobei der zweite Dotierstoff ein oder mehrere Seltenerdmetalle in einer Konzentration von jeweils 0,1 bis 3 Gew.-% umfasst (bezogen auf die Gesamtmasse an SiO₂ und Dotierstoff). Um hiervon ausgehend ein Quarzglas-Bauteil zum Einsatz bei der Halbleiterfertigung in ätzend wirkender Umgebung bereitzustellen, das sich sowohl durch hohe Reinheit als auch durch eine hohe Trockenätzbeständigkeit auszeichnet, und das bekannte Nachteile infolge einer Co-Dotierung mit Aluminiumoxid vermeidet, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass der erste Dotierstoff Stickstoff ist.