| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung verformter Transistoren durch Verspannungskonservierung auf der Grundlage einer verspannten Implantationsmaske |
| 摘要 |
<p>Durch Verwenden einer Implantationsmaske mit einer hohen inneren Verspannung können SMT-Sequenzen bereitgestellt werden, in denen zusätzlich Lithographieschritte vermieden werden. Folglich kann eine Verspannungsquelle bereitgestellt werden, ohne dass ein deutlicher Beitrag zur Gesamtprozesskomplexität geleistet wird.</p> |
| 申请公布号 |
DE102006035646(B3) |
申请公布日期 |
2008.03.27 |
| 申请号 |
DE20061035646 |
申请日期 |
2006.07.31 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC. |
发明人 |
WIRBELEIT, FRANK;BOSCHKE, ROMAN;GERHARDT, MARTIN |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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