| 发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING A ZNCDO SEMICONDUCTOR MATERIAL |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermaterials, wobei bei dem Verfahren auf einem Substrat (10) ein ZnCdO-Material (30, 140) aufgebracht wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das ZnCdO-Material (30, 140) auf dem Substrat (10) mit Molekularstrahlepitaxie bei einer Wachstumstemperatur zwischen 100°C und 250°C aufgewachsen wird.</p> |
| 申请公布号 |
WO2008034404(A1) |
申请公布日期 |
2008.03.27 |
| 申请号 |
WO2007DE01482 |
申请日期 |
2007.08.17 |
| 申请人 |
HUMBOLDT-UNIVERSITAET ZU BERLIN;HENNEBERGER, FRITZ;SADOFEV, SERGEY |
发明人 |
HENNEBERGER, FRITZ;SADOFEV, SERGEY |
| 分类号 |
H01L21/363 |
主分类号 |
H01L21/363 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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