| 发明名称 | 改善晶圆图案化结构临界尺寸均匀性方法及用于光刻系统 | ||
| 摘要 | 一种在半导体与掩模制造中改善晶圆上的图案化特征结构的临界尺寸均匀性的方法。在一实施例中，提供一种评估装置以评估形成于晶圆上的若干个电路布置的临界尺寸分布，该若干个电路布置由一掩模定义。在该若干个电路布置上执行一逻辑操作，以撷取图案化特征结构。将图案化特征结构和设计规则做比较，假如图案化特征结构与设计规则之有偏差或差距，则此差距可经由调整光刻的可调式参数(例如掩模制造)来做补偿。 | ||
| 申请公布号 | CN100377304C | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200410080593.3 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许照荣;游展汶;高蔡胜;林本坚 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01);G06F17/50(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王燕秋 |
| 主权项 | 1.一种改善晶圆上的一图案化特征结构的临界尺寸均匀性的方法，其特征在于，该方法至少包括：测量与分析形成于该晶圆上的若干个电路布置，该若干个电路布置由一掩模或标线定义；在该若干个电路布置上执行一逻辑操作，以撷取一图案化特征结构；比较该图案化特征结构和由该掩模或标线定义的该若干个电路布置；以及调整一组光刻可调式参数，以补偿在该图案化特征结构与由该掩模或标线定义的该若干个电路布置间的一偏差或差距。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||