| 发明名称 | 半导体衬底 | ||
| 摘要 | 沿划片线划分半导体衬底以形成多个被密封环围绕的IC区域，其中在划片线中形成钝化开口，在划片线中被二级密封环围绕的监测元件区域内形成监测元件，所述二级密封环由金属层、氧化层和通孔构成。二级密封环形成为围绕监测元件的外围，由此使监测元件能够精确监测集成电路的特性，因为可防止水分和杂质渗入监测元件区域，因此监测元件区域在特性上稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN100377353C | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200510005687.9 | 申请日期 | 2005.01.24 |
| 申请人 | 雅马哈株式会社 | 发明人 | 内藤宽;藤田晴光 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底，所述半导体衬底沿划片线被划分以形成被密封环围绕的多个IC区域，其中在所述划片线中形成有钝化开口，在所述划片线中监测元件区域之内形成监测元件，所述监测元件区域被二级密封环围绕，其中所述密封环的宽度大于所述二级密封环的宽度，且所述二级密封环具有包含多个金属层的叠层结构，所述多个金属层经由绝缘层层叠在一起并经由通孔彼此相互绝缘。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||