| 发明名称 | 修正CMP作业工艺条件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种修正CMP作业工艺条件的方法，它可以根据不同的研磨速率倾向参数选择不同的CMP作业工艺条件，进而可以控制产品膜厚，提高产品膜厚的均一性。它根据产品的研磨速率倾向参数选择CMP作业工艺条件，其中不同的研磨速率倾向参数对应不同的CMP作业工艺条件，所述研磨速率倾向参数是硅片在中心区域的研磨速率和边缘某个区域研磨速率的比值。 | ||
| 申请公布号 | CN101148016A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200610116251.1 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘艳平;赵正元 |
| 分类号 | B24B1/00(2006.01);B24B49/00(2006.01);B24B29/02(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种修正CMP作业工艺条件的方法，其特征在于，根据产品的研磨速率倾向参数选择CMP作业工艺条件，其中不同的研磨速率倾向参数对应不同的CMP作业工艺条件，所述研磨速率倾向参数是硅片在中心区域的研磨速率和边缘某个区域研磨速率的比值。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||